et grunnleggende spørsmål om forskjellsbehandling amplifer

[Robertt]

Når vi beregner maksimal effekt swing, må vi sikre alle transisor i metning region?

Jeg gjorde det gav halen gjeldende alle gjennom en side krets.Men det synes galt.

Takk

 

[amarnath]

nei, når en skriving av diff amp blir større enn den andre innspill ved en grense, da u skal slå av andre transsitor, er dette fordi potensialet i punktet som er tatt som AC bakken vil stige, og siden dette er også kilden potensialet i andre transsitor, u vil snu denne Transistor av når denne kilden potensielle økninger utover en bestemt verdi.og dermed, utdataene vout1 vil bli vdd og vout2 vil bli vdd-id * rd.

 

[AndrzejM]

Robertt wrote:

Når vi beregner maksimal effekt swing, må vi sikre alle transisor i metning region?

 

[ezt]

Hi Robertt.
Vet du hvorfor vi rapportere et symmetrisk utgang swing?Det
er fordi,
for eksempel når vi har et positivt signal til en utgang slutten,
er det en negativ effekt på den annen utgang slutten, og begge disse utgangene kan ikke større enn hva som gjør enheter kuttet eller ikke fungere skikkelig.Så du må ikke teste output swing når nesten alle halen gjeldende bare fløy fra den ene siden.

Hilsen,
Ezt

 

[Robertt]

Hei,

Takke dere alle.Jeg stilte dette spørsmålet fordi jeg ikke kunne forstå ett problem i Razavi bok.

Følgende er dette krets beregne maksimal effekt spenning swing.Under denne kretsen er svaret fra en e-versjon svaret på alle problemer i denne boken.

Nå forstår jeg hvordan du beregner Vout1, 2 (min),
er det:

Vin, CM-Vthn

å sikre to inngangsenheten forbli mettet.

for Vout (maks), jeg forstår Vout (max) = Vdd-(| Vgs3 | - | Vthp |)

Hva jeg ikke forstår er at svaret bruke en halv ISS (ie. 0.5mA) for å beregne ID3 som er skrevet i fig.

Siden vi beregner Vout (maks), det strømmer strømmer to sider må ikke like.Deretter ID3 burde ikke lik 0,5 * ISS.Jeg er veldig forvirret.Er svaret galt?

 

[bambus]

Hi Robertt,

Du sa at du kan forstå
Vout1, 2 (min) = Vin, CM-Vth, n (Hvorfor bruke Vin, CM?)
Men du kan ikke forstå
Vout1, 2 (max) = Vdd - (| Vsg3 | - | Vthp |)
Når du bruker Vin, CM, Id = ISS / 2?
Er det sant?Hvorfor?

 

[amarnath]

Dette skyldes for en dc skjevhet u er forutsatt at både transistorer i metning, så dagens blir delt likt mellom dem, så u har en situasjon der ISS / 2 flyter i begge grenene.

hilsen
amarnath

 

[Robertt]

amarnath,

Jeg er fortsatt tapt her.Ok, la meg sette det på denne måten:

Sier den ene siden outputs minimum spenning, hvis den andre siden outputs maksimal spenning?

I dette tilfelle, hvis en side outputs Vin, CM-Vthn, dersom den andre siden må output Vdd-(| Vgs3 | - | Vthp |)?bambus,

Jeg tror Vout (min) ≈ Vin, CM-Vthn er fordi inngangssignalet er ganske liten i forhold til Vin, CM.Si hvis Vin, CM = 1.5V.Vin1-Vin2 kanskje bare 50mV.Så Vout (min) omtrent lik Vin, CM-Vthn.

Jeg vet ikke om forståelse for dette er riktig.Hvis jeg ikke.kan du fortelle meg hva er det egentlig som skjer her.

Jeg er virkelig skuffet meg dårlig grunnlag.Kanskje jeg blandet opp noen grunnleggende begreper.

 

[bambus]

Hi Robertt,
Først, jeg tror du peker på en ting.Et signal inculde DC del og ACpart.Så kan du divid en inngangssignalet i to deler: CM og differensial nivå.
Når du designe en OP, det
er brukt til å amp lille signalet variere på CM nivå.Så når du beregne parameter er basert på denne tilstanden å holde MOS på saturation regionen.I store signal del ser du Id1 = Id2 = ISS / 2 (CM nivå)
Hvis du bruker store (Vin1-Vin2) som inndata, Jeg synes ciruit er blitt comparator ikke OP.I denne tilstanden,
det tror jeg ikke utdataene swing vil la deg forvirre.

 

[dog1357]

en, maksimum og minimum, henviser til differensial utgang, så det er ikke som en node tar maksimalt og andre noden har minumum, faktisk de ikke skje samtidig.

Jeg antar det er bedre å vite hvordan en enkelt Transistor woks i metning regionen, og hvordan er det når en liten AC signalet er lagt inn i den.u kan se Beregnigner og VGS-IDer kurven, den interception er opration poeng