forvirre på simulering

[yannsun]

Hei alle,
Jeg prøver å simulere den klassiske halv bølge rectifier krets med en motstander og en diode ved HSPICE, men resultatet viser voutfollows vin,
dvs. det er ingen effekt av diode bytte funksjon under vd variant.Hva jeg er forvirret og som også vil vite er om HSPICE kan riktig simulere diode transient egenskaper, og gjør noen bruk HSPICE, PSPICE eller andre simulator programmet skal lykkes i å få tak i diode circuit transient simulering resultatet?
Følgende er netlist skisse med diode modellen.

V1 vin 0 SIN 0 5 10MEG 0
D1 vin vout PDIODE
R1 vout 0 1K
. Tran 0.5n 1U
. Probe tran v (vout) v (vin)
. alternativer sonde

# # # ┌ ┐ ┌ ┐ ┌ ┐
# # # # └ ┘ └ ┘ └ =>
# # # ┌ ┐ ┌ ┐ ┌ ┐
# # # # └ ┘ └ ┘ └
SIN-inngang (PUSLE skriving viser lignende resultat)

 

[Fvm]

Hva mener du, vout følger vin også under de negative halfwave?I dette tilfellet noe skulle være galt med diode modellen.Vanligvis noen Spice varianten er i stand til å utføre slike enkle simuleringer og jeg vil ikke forvente store forskjeller i resultatet.Hva med brukte diode modell?Hvis det
er et avslapnings del,
er det trolig ikke har noen gang avhengige parametere eller veikryss Capacitance.Så du vil ikke se virkelige diode atferd i transient analyse, bare statisk diode egenskaper.

 

[LvW]

Jeg er ganske sikker på at "feil kilde" er frekvensen som er for høy for den type diode du bruker.Den diode Capacitance er ansvarlig for dette.
Prøv en frekvens på 100 kHz - og du vil se alt er som forventet.
LvW

 

[Fvm]

Vel, du
er rett.Egentlig kunne jeg ikke forestille meg å bruke makt diode i simuleringen på 10 MHz, men jeg burde ha visst bedre ...

 

[yannsun]

Takk for din tid, problemet løses.
Som et spørsmål om faktisk PDIO betyr P / NWELL diode, en av pop diode implementaion i CMOS prosessen.Fvm, du har rett, den uferdige parameter oppsettet av diode forårsake resultatet være galt full wave.