hvordan design krets av transistor med metning

[hero0765]

hei:

Jeg vil gjøre transistor i metning området.I dette tilfellet er transistoren oppfører seg som en bryter.Jeg vil bestemme motstanden verdier i samsvar med parameterne i dataarket av 9013.Men jeg vet ikke hvilke parametere som er verdifulle for meg å caculate motstanden verdier.

fig:

<img src="http://images.elektroda.net/63_1250068539.jpg" border="0" alt="how to design the circuit of transistor with saturation" title="hvordan design krets av transistor med metning"/>

 

[elgiovo]

Anta

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$Q' title="3 $ Q" alt='3$Q' align=absmiddle>

er i løSå

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$V_{BE}=V_{\gamma}' title="3 $ V_ (BE) = V_ (\ gamma)" alt='3$V_{BE}=V_{\gamma}' align=absmiddle>

og

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$V_{CE}=V_{CE_{SAT}}' title="3 $ V_ (CE) = V_ (CE_ (Lør))" alt='3$V_{CE}=V_{CE_{SAT}}' align=absmiddle>

.Anta nå at det gule båndet er

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$5V' title="3 $ 5V" alt='3$5V' align=absmiddle>

.Så<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$V_{CE_{SAT}} R_1 i_C=5' title="3 $ V_ (CE_ (Lør)) R_1 i_C = 5" alt='3$V_{CE_{SAT}} R_1 i_C=5' align=absmiddle>og<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$V_{\gamma} R_2 i_B=5' title="3 $ V_ (\ gamma) R_2 i_B = 5" alt='3$V_{\gamma} R_2 i_B=5' align=absmiddle>Dersom, hvis

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$Q' title="3 $ Q" alt='3$Q' align=absmiddle>

er i SAT, da

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$i_C< \beta_F i_B' title="3 $ i_C <\ beta_F i_B" alt='3$i_C< \beta_F i_B' align=absmiddle>

, Så<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$\frac{5-V_{CE_{SAT}}}{R_1}< \beta_F \frac{5-V_{\gamma}}{R_2}' title="3 $ \ frac (5-V_ (CE_ (Lør))) (R_1) <\ beta_F \ frac (5-V_ (\ gamma)) (R_2)" alt='3$\frac{5-V_{CE_{SAT}}}{R_1}< \beta_F \frac{5-V_{\gamma}}{R_2}' align=absmiddle>

.

Anta nå at det gule båndet er

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$0V' title="3 $ 0V" alt='3$0V' align=absmiddle>

.Så, av analoge beregninger,<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$\frac{5-V_{CE_{SAT}}}{R_1}< -\beta_F \frac{V_{\gamma}}{R_2}' title="3 $ \ frac (5-V_ (CE_ (Lør))) (R_1) <- \ beta_F \ frac (V_ (\ gamma)) (R_2)" alt='3$\frac{5-V_{CE_{SAT}}}{R_1}< -\beta_F \frac{V_{\gamma}}{R_2}' align=absmiddle>Jeg antar dette er ganske vanskelig, siden du trenger negative

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$R_1' title="3 $ R_1" alt='3$R_1' align=absmiddle>

.Lagt etter 37 2 timer minutterenne kretsen er en RTL inverter.
Verdien av produksjonen er

(I)

<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$V_{CC}' title="3 $ V_ (CC)" alt='3$V_{CC}' align=absmiddle>

dersom, hvis

 

[hero0765]

Jeg vil vite tilstanden som gjør transistor i metning området er hva?

wheter øke IB til lør gjeldende, er det transistor i metning området?
men hvis utgangsstrømmen min micorcontroller's I / O pinner er mindre enn 20mA, og IB Lør gjeldende av transistoren er mer enn 50mA, hvordan bør jeg gjøre?

 

[Audioguru]

Hva er de to bokstaver før nummeret 9013 av transistor?

En 2N3904 har en maks metning spenning tap av 0.2V når det kollektoren nåværende er 10mA og sin base nåværende er 1mA, selv om beta er 100 eller mer.
Beta er ikke brukes til beregning av basen strøm av mettede transistorer.

Hvis du har en transistor som trenger en base strøm av 50mA men mikro-kontrolleren kan levere kun 20mA deretter bruke en Darlington transistor som bruker en mye lavere base gjeldende.Eller hvis du ikke ønsker den ekstra spenningen tapet av en Darlington transistor deretter bruke en MOSFET eller logikk-nivå MOSFET.