H
hspice2008
Guest
hei, jeg vil generere en 100nA gjeldende for lavt strømforbruk bandgap (total strøm er mindre enn 2uA).
Prosessen er 0.5um CMOS, hvis vi bruker motstand, så trenger vi en rsistor med en verdi
4V/100nA = 40MΩ!det trenger for mye layout området
hvis vi bruker MOS transistor i tt, current = 100nA. i SS current = 40nA, i flg. gjeldende = 160nA!i tt og ff hjørnet, kan forsterkeren ikke fungere!
hvordan kan jeg lage en lav dagens skjevhet (100nA) med svingninger mindre enn 30%?
Prosessen er 0.5um CMOS, hvis vi bruker motstand, så trenger vi en rsistor med en verdi
4V/100nA = 40MΩ!det trenger for mye layout området
hvis vi bruker MOS transistor i tt, current = 100nA. i SS current = 40nA, i flg. gjeldende = 160nA!i tt og ff hjørnet, kan forsterkeren ikke fungere!
hvordan kan jeg lage en lav dagens skjevhet (100nA) med svingninger mindre enn 30%?