hvorfor input mos av OPAMP er i cutoff da w / l er stor

[Carlson]

Hei, alle!
Jeg designe diff.op med resistiv last.Og jeg vil ha en stor gm av input mos.
Så jeg gjøre w / l veldig stort, men hspice viser mos i cutoff regionen.
Jeg er redd det ikke fungerer.

Hilsen

 

[Hughes]

Når w / l av MOSFETs blir svært stor, mens den renne gjeldende forblir konstant, vil Vgs være mindre enn Vth.Den MOSFETs arbeide i sub-terskel regionen (ikke cut-off-regionen).Videre utvide m / l har liten effekt på gm hvis halen gjeldende forblir konstant.

 

[wwraul]

Forstørr halen gjeldende.
De differentail paret var i subthreshold

 

[Carlson]

Takk.
Er det fremdeles fungere normalt?

Hilsen

 

[leebluer]

Hvis bare input parene er i cut-off-regionen, kanskje det er noe problem om OPAMP.Men hvis du legger transistorene er i cut-off-regionen, noen viktige parametere, f.eks Gain, UGB, PM ville bli endret.
Just my opinion

 

[flushrat]

Jeg merker problemet før.Acturally er input pair i sub-terskel regionen, men ikke cut-off når w / l er for stort.

 

[kivvzhou]

ja, jeg er enig flushrat punkt, har jeg denne opplevelsen! men kretsen fungerer normalt.

 

[kwkam]

I teorien er MOS differensiell paret OK for å arbeide i sub-terskel regionen.Imidlertid kan MOS paret ikke bli matchet veldig godt spesielt i sub-terskel

 

[Carlson]

Hei, kwkam
hvorfor er de ville parvis matchet meget bra i sub-terskel region?

Hilsen

 

[flushrat]

La oss vurdere nåværende mismatch grunn vt mismatch.
For metning,
I = k (Vgs-VT) ^ 2
så
△ I / I = △ Vt / (Vgs-VT) (1)
For sub-terskel regionen
I = Io * exp ((Vgs-VT) / m (kt / q))
△ jeg / jeg == △ Vt / m (kt / q) (2)
sammenligne (1) og (2), Vgs-Vt>> m (kt / q)
så dagens mismach i subthreshold regionen er mye større.Det er likt til gm av diff-pair i sub-regionen.