L
lijulia
Guest
100mV = for 0.18um CMOS-prosess, fordi vi normalt design for vdsat = 200mV.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
A
avlsi
Guest
Vennligst gå gjennom noen MOEFET fysikk bøkene vil u komme til å kjenne.
Les hastighet metning i det, og se på kurven, ligner det som vår Drain gjeldende.
Som vi redusere strømforsyning for DSM.vi også redusere VDSAT, dvs. vi vil ha sterk inversjon for lav spenning, som vi har redusert kanal lengde.
Dette er vage explanation.Also gå gjennom noen bok.
Les hastighet metning i det, og se på kurven, ligner det som vår Drain gjeldende.
Som vi redusere strømforsyning for DSM.vi også redusere VDSAT, dvs. vi vil ha sterk inversjon for lav spenning, som vi har redusert kanal lengde.
Dette er vage explanation.Also gå gjennom noen bok.
L
laglead
Guest
lijulia skrev:
100mV = for 0.18um CMOS-prosess, fordi vi normalt design for vdsat = 200mV.
100mV = for 0.18um CMOS-prosess, fordi vi normalt design for vdsat = 200mV.
S
safwatonline
Guest
laglead skrev:I submicron CMOS, ønsker vi ikke hastigheten metning effekt.
Så bør Vdsat normalt være 100mV, eller enda mindre.
Så bør Vdsat normalt være 100mV, eller enda mindre.
S
SKYHIGH
Guest
Jeg tror han er forvirret.
VSAT er hastighet metning i korte (0,5 til 0,25 mikron) og smal (0,18 til 0,13 mikron) kanal transistorer.Det har ingenting å gjøre med VDSat.VSAT er på grunn av E-felt fra tapper virker på elektronene i kanalen og kilde når VDD brukes i avløpet.Derfor konstant elektron mobilitet ikke lenger gjelder!Det varierer med E-feltstyrke!Denne kurven i VSAT versus kanal lengde eller med VDD er bevisene for å vise at VSAT varierer med E-feltet.Den smalere kanalen blir, desto større er E-feltet innvirkning på VSAT.
VDSat er Saturation VDS.Dette er kneet spenning hvor transistor transporter fra sterk inversjon til metning.
Ikke forveksle Vthreshold med VDSat.
Når du ser er det VDS mot ID transconductance kurve, kurvene for å øke VGS allerede trukket når VDS er høyere enn Vthreshold, med andre ord, alle tomter trukket i denne VDS g. ID transconductance kurve er tegnet i sterk inversjon.
Mange tror fremdeles VDSat = Vthreshold som er galt!
VSAT er hastighet metning i korte (0,5 til 0,25 mikron) og smal (0,18 til 0,13 mikron) kanal transistorer.Det har ingenting å gjøre med VDSat.VSAT er på grunn av E-felt fra tapper virker på elektronene i kanalen og kilde når VDD brukes i avløpet.Derfor konstant elektron mobilitet ikke lenger gjelder!Det varierer med E-feltstyrke!Denne kurven i VSAT versus kanal lengde eller med VDD er bevisene for å vise at VSAT varierer med E-feltet.Den smalere kanalen blir, desto større er E-feltet innvirkning på VSAT.
VDSat er Saturation VDS.Dette er kneet spenning hvor transistor transporter fra sterk inversjon til metning.
Ikke forveksle Vthreshold med VDSat.
Når du ser er det VDS mot ID transconductance kurve, kurvene for å øke VGS allerede trukket når VDS er høyere enn Vthreshold, med andre ord, alle tomter trukket i denne VDS g. ID transconductance kurve er tegnet i sterk inversjon.
Mange tror fremdeles VDSat = Vthreshold som er galt!
V
venkateshr
Guest
Hei,
Normalt vi ikke vurdere effekten av Velocity metning i Analog Ckts som vi ikke gå for minimum lengde devices.But forklaringen er perfekt og hvis VDSAT er på ,2 v deretter enheten kan være i metning (hastighet) som E-feltet er 1V / um
hvis dette er tilfelle kan vi gå for lavt VDsat som det ikke er mer sq lov forholdet innsats.i og V, og det er linear.so mill. vil bli redusert med faktor 2, men ingen begrensninger på inpt.signal amplitude.
Normalt vi ikke vurdere effekten av Velocity metning i Analog Ckts som vi ikke gå for minimum lengde devices.But forklaringen er perfekt og hvis VDSAT er på ,2 v deretter enheten kan være i metning (hastighet) som E-feltet er 1V / um
hvis dette er tilfelle kan vi gå for lavt VDsat som det ikke er mer sq lov forholdet innsats.i og V, og det er linear.so mill. vil bli redusert med faktor 2, men ingen begrensninger på inpt.signal amplitude.