Om P-channle MOSFET parametere

[leonken]

For P-channle MOSFET, for eksempel Vth =- 0.6V
Hvor stor er en typisk verdi kontakt potensielle forskjellen mellom gate og substrat Φms og bulk Fermi potensielle ΦB og Vo (en correctin sikt på grunn av terskelen skift implantat)?
Takk

 

[pi331133]

Det er vanskelig å si eksakt verdi.Det avhenger av underlaget ledningsevne, det knep for doping, de oksid kvalitet og høyde.Du kan referere til noen halvleder fysikk bøker eller noen bsim3 modell fil for å få en idé.Takk.