Parasitic lateral BJT under ESD hendelse??

[prcken]

<img src="images/smiles/icon_question.gif" alt="Spørsmål" border="0" />Denne type struktur og dens TLP testing IV tomten som bildet nedenfor, det er rart å finne i TLP IV tomten er det en flat området der enheten Aktuell er nesten mettet som enheten spenning går, så jeg lurte på om det var på grunn av parasitic lateral BJT eksisterende i enheten?Og alle vet mekanismen av parasitic lateral BJT effekt, hvorfor IV kurve fungerer sånn?Takk!<img src="http://images.elektroda.net/19_1205372070.jpg" border="0" alt=""/>

[/ img]Legges etter 5 timer 21 minutter:hjelpLagt etter 3 minutter:hjelp