W
whitewiz
Guest
Jeg repost dette spørsmålet.
Jeg bruker IBM 0.18um BiCMOS prosessen.
For tråkkfrekvens skjematisk simulering, jeg brukte en bipolar transistor (BJT) for lavt støynivå forsterker design og simulert i DC analyse.
BJT er alltid arbeider i region 1 eller region 3.
Jeg er så lurer region 3 er metning region eller sammenbrudd region.
Jeg legge ved bildet for din vurdering.
Takk
<img src="http://images.elektroda.net/24_1202435609_thumb.jpg" border="0" alt="Region 3 area in cadence schematic simulation using spectre" title="Region 3 område i tråkkfrekvens skjematisk simulering ved hjelp av spekteret"/>
Jeg bruker IBM 0.18um BiCMOS prosessen.
For tråkkfrekvens skjematisk simulering, jeg brukte en bipolar transistor (BJT) for lavt støynivå forsterker design og simulert i DC analyse.
BJT er alltid arbeider i region 1 eller region 3.
Jeg er så lurer region 3 er metning region eller sammenbrudd region.
Jeg legge ved bildet for din vurdering.
Takk
<img src="http://images.elektroda.net/24_1202435609_thumb.jpg" border="0" alt="Region 3 area in cadence schematic simulation using spectre" title="Region 3 område i tråkkfrekvens skjematisk simulering ved hjelp av spekteret"/>