spørsmål om hvordan du kan redusere bakken bounce (veksling støy)

[phosphor_zhu]

Nylig simulere jeg min krets med pakken modellen, der den digitale bakken og analog bakken har samme pin GND. nå, problemet kom ut, de har innvirkning på hverandre, til slutt kretsen ikke kan arbeide korrekt. Hvordan kan jeg gjøre? kan noen hjelpe meg? takk!

 

[milkdragon]

Den beste måten er å ha skilt bondwire og bondpad for analog og digital bakken.

 

[northeast1]

legge stor frakobling cap.

 

[phosphor_zhu]

[Quote = milkdragon] Den beste måten er å ha skilt bondwire og bondpad for analog og digital bakken. [/Quote] eh, jeg har tenkt på det, men jeg didnot vet hvor mange obligasjoner kan i parallell. bare til meg, vil jeg vite hvor liten parasittisk ESR og ESL kan være? kan du fortelle meg? [Size = 2] [color = # 999999] Lagt etter 35 minutter: [/color] [/size] Takk! jeg nå gi bindingen ledning PAD parasittiske parameter som følger. ESR 0.1ohm ESL 1NH pararistic kondensator er 0.5p og jeg er ikke sikker den parasittiske verdien gitt er egnet.

 

[milkdragon]

Måten jeg ser på det er å beregne impedans stien fra, sier digital bånd pad, til den rene bakken banen og sammenligne med mulig impedans banen fra digital bakken til analog bakken. For bondwire motstand, jeg har alltid anta 0.2-0.3ohm/mm og tilhørende induktans å være ~ 1nH/mm. Så, avhenger av hva slags pakke du bruker kan resultere i forskjellige bondwire induktans og motstand. for eksempel hvis du har QFN pakke som gir deg et grunnplan, kan ha en downbond med induktans ~ 0.7nH. For BGA, som du kan ha flere ruting på BGA underlaget kan gi deg mer induktans. Dermed kan doble bindingen eller tredoble obligasjon nødvendig for god isolasjon i denne situasjonen.

 

[phosphor_zhu]

[Quote = milkdragon] Slik jeg ser på det er å beregne impedans stien fra, sier digital bånd pad, til den rene bakken banen og sammenligne med mulig impedans banen fra digital bakken til analog bakken. For bondwire motstand, jeg har alltid anta 0.2-0.3ohm/mm og tilhørende induktans å være ~ 1nH/mm. Så, avhenger av hva slags pakke du bruker kan resultere i forskjellige bondwire induktans og motstand. for eksempel hvis du har QFN pakke som gir deg et grunnplan, kan ha en downbond med induktans ~ 0.7nH. For BGA, som du kan ha flere ruting på BGA underlaget kan gi deg mer induktans. Dermed kan doble bindingen eller tredoble obligasjon nødvendig for god isolasjon i denne situasjonen. [/Quote] Takk. Men jeg kan ikke forstå tydelig. Kan du vise meg et eksempel om det? Kan noen oppslagsverk jeg trenger å lese?

 

[milkdragon]

Du kan referere til den siste kapittel av Design av Analog CMOS integrerte kretser av Behzad Razavi

 

[phosphor_zhu]

[Quote = milkdragon] Du kan henvise til den siste kapittel av Design av Analog CMOS integrerte kretser med Behzad Razavi [/quote] takk. : D