A
analogic
Guest
titt på følgende to kretser:
1) NMOs kilde tilhenger med R som belastning.drain koblet til vdd
2) NMOs Felles-kilde forsterker, med R som kilde degenerasjon og Rd som belastning.
tilsvarende transconductance av den første er gm, mens den andre er rundt 1 / R
så vidt jeg vet, er grunnen til at å beregne tilsvarende transconductance, bør vi bakken utgang.men hvorfor skal vi bakken output node?å redusere lasting effekt?hvorfor to lignende kretser gi ulike transconductance?hva er de fysiske mening i det?
Takk.Lagt etter 50 3 timer minutter:Jeg vet hvorfor mill. er forskjellige.Årsaken er at man Vin brukes på Vgs, mens en annen er ikke Vgs.bortsett fra jeg fremdeles dont vite hvorfor vi har til bakken VOUT.kan noen forklare det?takk.
1) NMOs kilde tilhenger med R som belastning.drain koblet til vdd
2) NMOs Felles-kilde forsterker, med R som kilde degenerasjon og Rd som belastning.
tilsvarende transconductance av den første er gm, mens den andre er rundt 1 / R
så vidt jeg vet, er grunnen til at å beregne tilsvarende transconductance, bør vi bakken utgang.men hvorfor skal vi bakken output node?å redusere lasting effekt?hvorfor to lignende kretser gi ulike transconductance?hva er de fysiske mening i det?
Takk.Lagt etter 50 3 timer minutter:Jeg vet hvorfor mill. er forskjellige.Årsaken er at man Vin brukes på Vgs, mens en annen er ikke Vgs.bortsett fra jeg fremdeles dont vite hvorfor vi har til bakken VOUT.kan noen forklare det?takk.