spørsmålet om Emitter etterfølger

[muoinhohn]

Hi al,
Har du kjent hvorfor emitter etterfølger bruker i effektforsterker?
Hva er forskjellen om innspill og impedans mellom Emitter etterfølger og felles Emitter?
Jeg har
søkt noen dokumenter, slik at jeg ikke fant dokument som forklarer tydelig om problemet.

Hilsen
MuoiNho

 

[simonkuo]

Output impedans på Emitter etterfølger er liten at den har capabiliity å kjøre tung produksjon loading (si 50 ohm).Utdataene impedans felles emitter er stor.

 

[muoinhohn]

Takk for svaret ditt.Er skriving impedans felles emitter mindre enn emitter etterfølger?

Hilsen
MuoiNho

 

[vonleo]

avgir etterfølger er en spenning buffer,
inndataene imepdance er stor, slik at han kan få det meste av spenningen i; output impedans er lite han kan drive en relativ liten belastning.
kan du se noen grunnleggende bok om dette.

 

[aryajur]

Inntastingsfeltet impedans på en felles emitter krets er beta ganger re der re "er egenverdi emitter base junction motstand lag får være 25mV/Ie, der Ie er DC biasing junction gjeldende ved romtemperatur.Inntastingsfeltet impedans for en emitter etterfølger er gjort mange ganger større ved emitter degeration motstander sette fra emitter til GND, siden nå inntastingsfeltet impedans blir beta ganger re " Re hvis Re>> re deretter sitt lag beta tid Re og så høy temperatur Dependance av inntastingslisten impedans er fjernet og også inntastingsfeltet impedans er sterkt økte gjør krets egnet for spenning overføringen.

 

[cetc1525]

emitter etterfølger har stort band
og lav produksjon motstand.

 

[muoinhohn]

Hi al
Den motstander RE som brukes for stabiliteten i forsterkeren i dc bias er i CE og CC forsterker.Slik at hvis vi bruker den lineære modellen til å analysere, vi kommer til å få samme input impedans for begge.
I effektforsterker bruker CC, signalet er stor.Så jeg kan ikke analysere krets i å bruke de små signal modellen.Jeg
vil gjerne ha god forklaring på saken: store signal med CC forsterker.

Takk for alle svar
Muoinho

 

[strabush]

muoinhohn
Du glemte noe, effektforsterker bruker en Emitter etterfølger har emitter skjevhet stabilisering motstander OG belastningen (høyttaleren) i serien på Emitter, så inntastingsfeltet impedans på Emitter etterfølger er enda mye høyere.

 

[qutang]

felles emitter har hign gain.but emitter etterfølger kan driveren stor belastning

 

[electronrancher]

bør du tenke på MOS sak (ingen base gjeldende).

for eksempel.en CMOS spenning etterfølger har 3V på gate, slik at kilden vil hvile på om 3V-Vth kanskje 2.2v eller så.det
er avløp er koblet til VDD, så det kan bare Pour Aktuell til last for å tilfredsstille Vout = 2.2v derfor regnes det som svært lav produksjon impedans.

eneste problemet er at du trenger minst 1Vth å drive det så kan du ikke ut hele veien til VDD, bare opptil VDD-Vth.(body effekt er neste troublemaker om du bare har én brønn prosessen)samme gjelder for emitter etterfølger.du trenger en god sterk base stasjonen, men annet enn at prinsippet er veldig likt.no body effekt og maks Vout er VDD-Vbe, antar du kan drive basen til VDD.(Vanligvis kan du bare kjøre til VDD-VCEsat i Bipolar så det
er grunnen til at jeg sier det)