180nm tachnology sideforhold og lamda atferd

[lasha]

hi m trene med min kadens verktøy .... mens m analysere, vil jeg gjerne vite oppførselen til lamda med sideforhold på 180nm teknologi både for pmos og NMOS ..... kan noen hjelpe meg ???????

 

[erikl]

[COLOR = "blue"] David M. Binkley [/color] "avveininger og optimalisering i Analog CMOS Design" på s. 153 .. 163 gir en omfattende oversikt over 0.18μm CMOS prosess Early Spenning (V [SIZE = 1] A [/SIZE]) avhengighet av transistor lengde (L), Inversjon Coefficient (IC), og Drain-Source-Voltage (V [SIZE = 1] DS [/SIZE]). En ganske grov tilnærmelse for denne prosessen er V [SIZE = 1] A [/size] = 10V per (mikrometer kanal lengde), den Channel lengde Modulation (CLM) factor lambda = λ = 1 / V [SIZE = 1] A [ / size].