JFET

C

cipi-cips

Guest
Jeg har et problem jeg trenger for å bygge felles emitter amplifire men i stedet for vanlig motstander som skaper felles emitter amplifer jeg trenger å sette JFET som variabel motstand<img src="http://images.elektroda.net/8_1214840131_thumb.jpg" border="0" alt="JFET" title="JFET"/> Jeg tror det er noe sånt som dette, men jeg er ikke sikker, testet jeg dette, og det virker ikke mye oscilation på produksjonen.

Ved utgangen det bør være et signal som er forsterket og det hvis du legger ved noen spenning på JFET (alle 4) bør du få variable amplifire

 
Her er min anbefaling:
Før du bruker JFETs som motstander i en forsterker bør du undersøke prinsippet og begrensninger ved bruk av JFETs for et slikt formål.
For eksempel er rekkevidden begrenset til ohmsk regionen og kilden potensialet bør være konstant og ikke signal avhengig (fortrinnsvis null volt).
Det er klart fra din krets (til høyre) at det ikke kan arbeide.

 
I beste fall kan en JFET i ohmsk regionen anses som en tilnærming til en motstand for tilstrekkelig lavt signal spenning.En linearisering krets kan utvide signalet spenningsområde, noe som reduserer innflytelsen av additonal kvadratisk begrepet som regel bestemme FET karakteristisk.

For vist krets, trenger jeg en plausibel motivasjon for ikke å avvise det som rent tøv.

 
En felles krets bruker en JFET som en aktuell kilde belastning i en felles kilde forsterker JFET.Jeg har sett denne kretsen brukes i en høy ytelse phono forsterker mange år siden.

 
Ved første du bør vite og klargjøre hvilke egenskaper av gevinst scenen måtte endres via JFET - og over hvilke tuning range:
gevinst eller skjevhet punkt eller inngangsimpedans eller stille gjeldende?Eller alle sammen?

 
Brønnen hmm problemet er at jeg fikk dette prosjektet og jeg trenger å bygge det og alt hva jeg får alle forklaringene jeg at jeg skrev det i første innlegg, så jeg vet ikke jeg ønsker å høre dine ideer?

 
cipi-cips skrev:

Brønnen hmm problemet er at jeg fikk dette prosjektet og jeg trenger å bygge det og alt hva jeg får alle forklaringene jeg at jeg skrev det i første innlegg, så jeg vet ikke jeg ønsker å høre dine ideer?
 
ja problemet er at jeg må bytte alle fire motstandene så jeg virkelig dont vite hva å gjøre har jeg tryed med bare en FET og jeg klarer å få gode resultater, men med alle 4 hard

 
OK, hvis du er nødvendig for å bruke 4 JFETs dette er i prinsippet mulig.Kanskje det er en ganske god øvelse å studere egenskapene til JFETs.
Men det er noen punkter å ta hensyn til:

1.) Både JFETs i solfangeren og i emitter banen må jobbe som dynamiske motstander.Det betyr at de må takle ac signaler og må føre til at bare mindre skjevheter.Konsekvens: operasjon i kvasi-lineære området av JFET output karakteristisk.Denne begrensningen begrenser deres Driftsspenning bemerkelsesverdig ..
Og ta hensyn til å koble kilden pin til en fast potensiale (bakken hhv. VDD).

2.) Begge JFETs som brukes til biasing den BJT kan brukes også utenfor sine lineære regionen siden de brukes kun som "statisk motstander" - som betyr at de bare har å realisere et fast DC spenning til dagens forhold.

3.) Min anbefaling: Bruk en simulering programmet først.

 
Jeg savner en plausibel motivasjon for kretsen.Den FETs bør tjene en hensikt, men jeg ser ikke noe mulig.

I de fleste tilfeller (eller skal jeg si i alle fall?) Den ikke-lineære FET egenskaper ville dominere den lineære (resistiv).Så du innerst inne kan endre f.eks UGS eller bedre (UGS Ugd) / 2 av hver FET og det resulterer i en modifisert forsterker bias punkt.Men det stopper ikke oppfører seg egentlig som en motstand.

Jeg antar, kan ideen være å lage en demonstrasjon krets, som visualiserer effekten av motstanden dimensjonering i en transistor forsterker.Jeg en gang laget en demonstrasjon krets for en lab jeg måtte supervize, men det var enkelt Pluggable motstander (og en on-chip termostat for transistor, i tillegg).Hvis krets formålet er av denne typen, potensiometre digitale eller analoge bryterne kan hjelpe, men FET som variable motstandene er ikke en god løsning, tror jeg.Også sammenkoblet LDR med motstand kontrollerende tilbakemeldinger krets kan være en løsning.

 
Krets i vedlegget - det verste er designet av meg

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="Smil" border="0" />Det gjør ikke noen mening, Q1 er nesten mettet, det inngangsmotstand er lav på grunn av negative tilbakemeldinger, forvrenger det på høy inngang amplitude, osv. For lite signal spenningen forsterkning er omtrent 15.

For din bestemt program skal du finne ut hvilken motstander skal erstattes med JFET.Egg: solfangeren motstand erstattet av JFET konfigurert som aktuell kilde.Emitter Resistor erstattet av JFET kontrollerte motstand å kontrollere forsterkningen avhengig gate spenning osv.
Beklager, men du må logge inn for å vise dette vedlegget

 
Den brukbare spenningsområde for en FET som programmerbar motstand er noen 100 mV opp til et par volt, avhengig av intendended nivået på linearitet henholdsvis skjevheter.Ved å holde Vg = (Vds Vgs) / 2 konstant, kan det kvadratiske uttrykket i FET charateristic bli eliminert, noe som skaper en symmetrisk atferd.En enkel linearisering krets for en bakken refererte FET er slik:<img src="http://images.elektroda.net/35_1214950766.gif" border="0" alt="JFET" title="JFET"/>Spenningen / strøm karakteristikk med VG som en parameter.Motstanden sies å følge en hyperbolsk funksjon Rdson Vgsoff / (Vgsoff-Vg).<img src="http://images.elektroda.net/78_1214951064_thumb.gif" border="0" alt="JFET" title="JFET"/> FET resistor, a differential amplifier would be needed.

For å kontrollere en flytende
FET motstand, en differensial forsterker ville være nødvendig.

PS: Jeg nevner ikke eksplisitt, at en JFET med høy Vgsoff er å foretrekke for en maksimal brukbar spenning.BF245C er ikke dårlig i denne forbindelse.Men enkelte Vgsoff (og Rdson) varianter må vurderes og vil kreve individuell justering for hver variabel motstand.Dette er den andre faktisk bortsett fra begrenset spenningsområde, som praktisk talt begrenser anvendelsen av denne teknikken.

Jeg har også ikke vise egenskaper for en FET uten linearisering.Du kan tro at det er rett og slett dårlig og upassende for de fleste bruksområder ..

 
Slik alllow sammenligning jeg også plottet simulering av BF245C spenning / strøm karakteristikk uten linearisering.Vgs er identisk Vg i linearized krets (-0,5 til -5,5 V)<img src="http://images.elektroda.net/58_1215035620_thumb.gif" border="0" alt="JFET" title="JFET"/>
 
Jeg har tryed å designe banen i simulatoren program (Multisim Elektronikk Workbanch) men jeg har sviktet hmm ikke noen av dere vet hvordan du gjør krets, har jeg tryed med begge skjema som du postet??

 
Jeg var ikke bruke Multisim, men det burde i utgangspunktet gjøre så godt.Hva problemet gjorde du erfaring?Posting det *. ms10 filen kan hjelpe andre å duplisere simuleringen.

 
Først har jeg tegner en krets som Eugen_M postet og jeg fikk feil at kretsen er ugyldig hmm så innså jeg at når du kobler mellom bakken og porten fra FET kretsen arbeider (ingen feil), men ved utgangen Jeg fikk samme signal som input , så jeg har trukket krets med FET er som du skrev med 1M motstander og strømforsyning for alle FET og jeg fikk ikke noe i produksjon?

 
Kretsene kan simuleres i alle SPICE simulator, f.eks PSPICE, Multisim.Mulige problemer som du rapporterte ikke er knyttet til den spesifikke krets, tror jeg.

Min FET krets med linearisering er bare viser de variable motstander element med det styrespenning.Det kan brukes til bakken refererte FET er som den er, men vil ha en differensial forsterker hvis brukt flytende henholdsvis vdd refererte til de to øverste FETs.En endelig krets må vurdere kilden av kontroll spenninger.

Simuleringen viste imidlertid at den lineære området er begrenset, så forsyningsspenningen bør ikke være for høy.Jeg fortsatt tvil om kretsen er meningsfullt i det hele tatt.

 
hmmm rart, vel jeg stoler ikke har noen anelse om hvordan du oppretter denne kretsen Jeg mener, hvordan man bygger det forsterker med FET er som motstander, hmmm hmm hva tror du har du noen anelse om hvordan det bør i lees se ut?

 
Fvm skrev

....
Jeg fortsatt tvil om kretsen er meningsfullt i det hele tatt.
 
<img src="http://images.elektroda.net/17_1215277822_thumb.gif" border="0" alt="JFET" title="JFET"/>
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top