Kan en lav spenning MOSFET bytte høyere spenning?

U

uoficowboy

Guest
Hei - kan noen fortelle meg om det er mulig å bruke en lavere spenning MOSFET å bytte den lave siden av en høy impedans belastning som er koblet til høy spenning? For eksempel, la oss si du har en 1M belastning. Den høye siden av den er koblet til 100V, mens den lave siden er koblet til avløpet fra 10V N-kanals MOSFET. Kilden til FET er jordet. Hvis det var en lav impedans belastning, jeg forventer at MOSFET å bli ødelagt. Men hva om denne saken hvor det er høy impedans? Maksimal effekt på 100V forsyning kan levere til MOSFET er 10mW - så så lenge pakken takler det energitap, vil det overleve? Hvis ikke, er det noen andre måter å bruke en lav spenning MOSFET å bytte den lave siden av en høyere spenning belastning? Takk så mye!
 
Du kan ikke ødelegge din MOSFET, men du belastningen vil aldri slå. Transistoren vil bryte ned på noen spenning over 10V, så du belastningen vil fortsatt ha nesten 90V over den. Keith
 
Jeg tror lekkasjestrøm av FET bør sak å avgjøre om sammenbrudd. (100V - Ileak * Road) bør alltid være mindre enn bryte ned votlage av FET. Umesh.
 
respektert SIR. hvordan å implementere analog Lineær feed Back Shift Register (LFSR). jeg allerede har gjort med den digitale delen. hvordan å generere analog skadedyr kurveformer ved hjelp LFSR.? Jeg har festet blokkdiagram av analoge Testmønster Generator.please hjelpe meg å implementere design ved hjelp av VHDL
 
[Quote = keith1200rs] Du kan ikke ødelegge din MOSFET, men du belastningen vil aldri slå. Transistoren vil bryte ned på noen spenning over 10V, så du belastningen vil fortsatt ha nesten 90V over den. Keith [/quote] Nå som jeg tenker på det - du er sikkert riktig! Men det er fortsatt veldig nyttig å vite at MOSFET ikke ville bli ødelagt!
 
Strøm kan drepe det, hvis ikke aktuell. 90V ved 10mA er 0.9W. Ikke mye, men det kan bli for mye dersom transistoren hadde ikke ventet det f.eks SOT23. Keith.
 
[Quote = uoficowboy] ... det er fortsatt veldig nyttig å vite at MOSFET ikke ville bli ødelagt [/quote] Du har fortsatt å være nøye med å beskytte gate: når du slår av MOSFET, dets drain spenning ramper opp fra - si - 1V til 10V (! eller mer, avhengig av drain-bulk gjennombrudd spenning). Via avløp-gate kapasitans, dette er rampe matet tilbake til porten. Du bør avgrense surge til maks. tillot gate-source spenning, for eksempel ved hjelp av en lav impedans kilde å kontrollere gate, eller av en avgrensende diode til (lav spenning) VDD. [Size = 2] [color = # 999999] Lagt etter 3 minutter: [/color] [/size] [quote = keith1200rs] 90V ved 10mA er 0.9W. Keith [/quote] Hei Keith:. 100V via 1MΩ!
 
[Quote = erikl] [quote = keith1200rs] 90V ved 10mA er 0.9W. Keith [/quote] Hei Keith: 100V via 1MΩ [/quote] Jeg var ikke fungerer den ut for 1MΩ, men min beregning er feil uansett - det 90V ville være i lasten ikke transistor.! Keith.
 
Hei - kan noen fortelle meg om det er mulig å bruke en lavere spenning MOSFET å bytte den lave siden av en høy impedans belastning som er koblet til høy spenning? For eksempel, la oss si du har en 1M belastning. Den høye siden av den er koblet til 100V, mens den lave siden er koblet til avløpet fra 10V N-kanals MOSFET. Kilden til FET er jordet. Hvis det var en lav impedans belastning, jeg forventer at MOSFET å bli ødelagt. Men hva om denne saken hvor det er høy impedans? Maksimal effekt på 100V forsyning kan levere til MOSFET er 10mW - så så lenge pakken takler det energitap, vil det overleve? Hvis ikke, er det noen andre måter å bruke en lav spenning MOSFET å bytte den lave siden av en høyere spenning belastning? Takk så mye!
 
Du kan ikke ødelegge din MOSFET, men du belastningen vil aldri slå. Transistoren vil bryte ned på noen spenning over 10V, så du belastningen vil fortsatt ha nesten 90V over den. Keith
 
Jeg tror lekkasjestrøm av FET bør sak å avgjøre om sammenbrudd. (100V - Ileak * Road) bør alltid være mindre enn bryte ned votlage av FET. Umesh.
 
respektert SIR. hvordan å implementere analog Lineær feed Back Shift Register (LFSR). jeg allerede har gjort med den digitale delen. hvordan å generere analog skadedyr kurveformer ved hjelp LFSR.? Jeg har festet blokkdiagram av analoge Testmønster Generator.please hjelpe meg å implementere design ved hjelp av VHDL
 
[Quote = keith1200rs] Du kan ikke ødelegge din MOSFET, men du belastningen vil aldri slå. Transistoren vil bryte ned på noen spenning over 10V, så du belastningen vil fortsatt ha nesten 90V over den. Keith [/quote] Nå som jeg tenker på det - du er sikkert riktig! Men det er fortsatt veldig nyttig å vite at MOSFET ikke ville bli ødelagt!
 
Strøm kan drepe det, hvis ikke aktuell. 90V ved 10mA er 0.9W. Ikke mye, men det kan bli for mye dersom transistoren hadde ikke ventet det f.eks SOT23. Keith.
 
[Quote = uoficowboy] ... det er fortsatt veldig nyttig å vite at MOSFET ikke ville bli ødelagt [/quote] Du har fortsatt å være nøye med å beskytte gate: når du slår av MOSFET, dets drain spenning ramper opp fra - si - 1V til 10V (! eller mer, avhengig av drain-bulk gjennombrudd spenning). Via avløp-gate kapasitans, dette er rampe matet tilbake til porten. Du bør avgrense surge til maks. tillot gate-source spenning, for eksempel ved hjelp av en lav impedans kilde å kontrollere gate, eller av en avgrensende diode til (lav spenning) VDD. [Size = 2] [color = # 999999] Lagt etter 3 minutter: [/color] [/size] [quote = keith1200rs] 90V ved 10mA er 0.9W. Keith [/quote] Hei Keith:. 100V via 1MΩ!
 
[Quote = erikl] [quote = keith1200rs] 90V ved 10mA er 0.9W. Keith [/quote] Hei Keith: 100V via 1MΩ [/quote] Jeg var ikke fungerer den ut for 1MΩ, men min beregning er feil uansett - det 90V ville være i lasten ikke transistor.! Keith.
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top