OPAMP av gm / Id tilnærming

[amitjagtap]

Hei, jeg prøver å designe en lav effekt OPAMP bruker gm / id tilnærming. Når jeg regnet gm / Id henhold til ønsket spesifikasjoner. Jeg var arround 380. Men normalt gm / Id ligger mellom 0 til 29 for en transistor. Jeg don'n vet hva de skal gjøre med dette. Er det noen metode som konverterer (av en eller annen måte) denne høye verdien av GM / Id = 380 til noen verdi som vil bli inkludert i Current Density Plot av transistoren, slik at corrosponding normalisert strøm kan beregnes fra grafen. Har u noen kommentar ......... Thanks ...........:?: D

 

[qslazio]

kan du gi mer informasjon? Det er kanskje fordi mange grunner: 1) subthreshold SPICE modellering nøyaktighet 2) ulik skalering mellom Id og Gm av simulator 3) feil skalering alternativet setup i netlist ...

 

[sutapanaki]

Jeg vet ikke hva du gjør, men gm / Id = 380 er absolutt galt. Fordi du kan beregne 2 * (1/gm/Id) som er informativ for Vdsat.

 

[amitjagtap]

Jeg valgte ca specs som ---- Av = 60 db, CL = 10pF, UGB = 600kHz UGB = GM1 / 2 * pi * CL som gir GM1 = 37.699uA / V seleceted gren nåværende ID1 = 100nA Hvilket gir Gm / ID = 37.699/100 K = 376,99. Qslazio: Jeg bruker TSMC 0.35 tech nivå 53 Else Jeg tror ikke noen annen feil jeg gjorde i grafen ploting av GM / ID Vs ID / W. Sutapanaki: hva ur sier er riktig. Men betyr dette at disse spesifikasjonene ikke kan oppnås med valgte modellen fil. Hva jeg har i mange aviser at GM / Id ligger i å satse 0-28. Dersom det under utforming, folk får gm / iD kan si 50 arround, hva de gjør med dette ......... Trenger ur forslag.

 

[ee_ykhab]

faktisk din nåværende er ekstremt liten. 1uA er vanlig i typiske design. husk: gm / Id = 2/vdssat. Når du øker gm, må du øke Id 2. Thanks

 

[amitjagtap]

hi ee_ykhab Uansett ur si, jeg er enig med dette. Men jeg målretting for low power OPAMP inwhich strøm er den viktigste begrensningen. Derfor har jeg valgt ISS = 200nA. Normalt Jeg subthreshold vi kan oppnå høy gain i forhold til OPAMP opererer i metning. Hva jeg observert at, for Vgs <Vth, er Gm verdi arround 2 til 4uA / V, ute av kurs for noen faste w / L (L = 1.4um & W = 2.8um)

 

[steve_guo]

Current er for liten, kan du simulere en enkel sak med diode koblet MOSFET og prøve å få det gm / ID vs ID kurve 280 er for høy og jeg tror du bør revurdere nøyaktigheten av modellen. Fra min erfaring, har Model dicontinuity i extrmely lav nåværende tilstand

 

[amitjagtap]

hi steve_guo Hvorfor gjøre u tror at 200nAcurrent er for mindre for lav effekt OPAMP. Jeg tror det er godt over enheten leackage strøm. I ett papir som jeg har sett, har de brukt strøm 50nA i forsterkeren. Hva u tenke .......... plz gi meg beskjed.

 

[sutapanaki]

Selvfølgelig du prøver å legge for mange ting i samme kurv for denne teknologien. 1. Basert på dine Av og hvis du har gm * ro tomter kan du velge L av transistorer. 2. Jeg vet ikke nøyaktig din topologi men la oss si det er bare en vanlig diff par og du trenger en GM1 ~ 40uA / v. Ikke fikse strømmen, la oss se hva nåværende vil være nødvendig. Hvis du antar at gm1/Id ~ 2/Vdsat og du velger Vdsat = 100mV-200mV (å ha god nåværende effektivitet) for verdien av GM1 ovenfra trenger du en aktuell per transistor av 2uA - 4uA. Ok, 1uA hvis du tar sikte på Vdsat = 50mV og svak inversjon. Men dvs om hva du kan få. [Quote = amitjagtap] Jeg valgte ca specs som ---- Av = 60 db, CL = 10pF, UGB = 600kHz UGB = GM1 / 2 * pi * CL som gir GM1 = 37.699uA / V seleceted gren nåværende ID1 = 100nA Hvilke gir Gm / ID = 37.699/100 K = 376,99. Qslazio: Jeg bruker TSMC 0.35 tech nivå 53 Else Jeg tror ikke noen annen feil jeg gjorde i grafen ploting av GM / ID Vs ID / W. Sutapanaki: hva ur sier er riktig. Men betyr dette at disse spesifikasjonene ikke kan oppnås med valgte modellen fil. Hva jeg har i mange aviser at GM / Id ligger i å satse 0-28. Dersom det under utforming, folk får gm / iD kan si 50 arround, hva de gjør med dette ......... Trenger ur forslag. [/Quote]

 

[amitjagtap]

hei Sutapanaki, jeg bruker enkle konvensjonelle totrinns OPAMP configaration. Jeg tror ur riktig. Jeg burde ikke fikse strømmen. Opp til nå var jeg fikse nåværende og dermed valgt svært avgjørende verdier for å få vinning og UGB men fremdeles UGB er verdien er lav i forhold til utvalgte ett. Jeg vil prøve med ur måte, tror jeg dette vil øke noe effekttap i kretsen min. Takker du ......

 

[DenisMark]

Den viktigste feilen som du har gjort er å velge aktuell før gm / id verdi. Du bør velge gm / id verdi ved første (fra GM / ID vs ID / (W / L) kurve). For 22 eksempel [1 / V] (svak inversjon regionen, Vov = Vgs-Vth

 

[amitjagtap]

hei Denis mark, første gang da jeg beregnet Gm / Id det var arround 380. Etter dette valgte jeg en maksimal verdi av GM / Id fra GM / Id Vs Id / W tomten slik at transistoren vil være i subthreshold. Jeg gjorde akkurat hva u sa, fordi jeg fant den eneste passende måten å håndtere dette problemet. For totrinns u har skrevet UGB = GM1 / 2 * pi * CM = 2 * GML / 2 * pi * CL i dette vet jeg UGB = GM1 / 2 * pi * CM, men hva er GML? kan u plz fortelle meg .......

 

[DenisMark]

Lett, transconductance av produksjonen transistor (andre trinn). Mer korrekt tilstand UGF = GM1 / 2 * pi * CM = 2 * GML / 2 * pi * (CM + CL) hvis Cm og CL ha kompatible verdier.